НИКОМ радио-маркет
Транзистор полевой IRF830, фото 2

Транзистор полевой IRF830

  • Готово к отправке
  • Код: A118297

35,96 ₴

Транзистор полевой IRF830
Транзистор полевой IRF830Готово к отправке
35,96 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
N-Ch 74W; 500V; 4,5A; 1,5Ohm

Описание

це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: импульсные источники питания (SMPS), інвертори, PFC, електронні баласти, високовольтні перетворювачі та силові ключові каскади.

Технические характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
  • Корпус: APEC
  • Монтаж: THT (выводной монтаж)
  • Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 500 В
  • Постоянный ток стока (ID), за карткою: 4,5 А
  • Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 74 Вт
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 1,5 Ом

Функционал

  • Работа в інверторах
  • Работа в імпульсних джерелах живлення
  • Работа в вузлах PFC
  • Работа в електронних баластах
  • Силовая или сигнальная коммутация

Распиновка

Для корпусу APEC розпіновка залежить від конкретної моделі та виробника. Перед монтажем необхідно користуватися графічним pinout/lead assignment datasheet цієї деталі.

Характеристики
Основные
ПроизводительAPEC
Пользовательские характеристики
КорпусTO-220
Число каналов1
Максимальна робоча температура, °C150
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт20
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт500
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом1,5
ПолярностьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт2-4
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер4,5
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт74
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд10
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд41
Информация для заказа
  • Цена: 35,96 ₴