НИКОМ радио-маркет

Транзистор полевой IRF7341

  • Готово к отправке
  • Код: A118215

35,96 ₴

Транзистор полевой IRF7341
Транзистор полевой IRF7341Готово к отправке
35,96 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
2N-ch; 55V; 4.7A; 2W; 0.05 Ohm

Описание

це двойной N-канальный MOSFET (2× N-channel) у корпусі SO-8. Об'єднання двох ключів в одному корпусі зменшує розміри та паразитні індуктивності. Типове застосування: DC-DC перетворювачі, керування живленням, напівмости, захист акумуляторів, ключи нагрузки та компактні імпульсні вузли.

Технические характеристики

  • Тип: двойной N-канальный MOSFET (2× N-channel)
  • Корпус: SO-8
  • Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
  • Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 55 В
  • Постоянный ток стока (ID), за карткою: 4.7 А
  • Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 2 Вт
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 0.05 Ом
  • Особенности: два MOSFET в одному корпусі

Функционал

  • Работа в DC-DC перетворювачах
  • Работа в імпульсних джерелах живлення
  • Захист акумуляторних ліній
  • Коммутация нагрузки
  • Управление линиями питания

Распиновка

Корпус SO-8, подвійна MOSFET-збірка. Для сімейства IR dual SO-8 типове розташування: 1. S1 2. G1 3. S2 4. G2 5. D2 6. D2 7. D1 8. D1 Для конкретної ревізії перед розводкою PCB бажано звірити графічний pinout у datasheet.

Характеристики
Основные
ПроизводительIR
Пользовательские характеристики
КорпусSO-8
Число каналов2
Максимальна робоча температура, °C150
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт20
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт30
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом0,05
ПолярностьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт1
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер4,7
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт2
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд8,3
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд32
Информация для заказа
  • Цена: 35,96 ₴