НИКОМ радио-маркет
Транзистор полевой 2SK3878, фото 2

Транзистор полевой 2SK3878

  • Готово к отправке
  • Код: A118235

134,56 ₴

Транзистор полевой 2SK3878
Транзистор полевой 2SK3878Готово к отправке
134,56 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
N; 900V; 9A; 150W; 1.0 Ohm

Описание

це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: импульсные источники питания (SMPS), інвертори, PFC, електронні баласти, високовольтні перетворювачі та силові ключові каскади.

Технические характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
  • Корпус: 2-16C1B
  • Монтаж: THT (выводной монтаж)
  • Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 900 В
  • Постоянный ток стока (ID), за карткою: 9 А
  • Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 150 Вт
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 1.0 Ом

Функционал

  • Работа в інверторах
  • Работа в імпульсних джерелах живлення
  • Работа в вузлах PFC
  • Работа в електронних баластах
  • Силовая или сигнальная коммутация

Распиновка

Корпус 2-16C1B. Если смотреть на сторону с маркировкой, выводами вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Металева задня пластина/фланець у звичайному неізольованому корпусі обычно соединена з Drain.

Характеристики
Основные
ПроизводительToshiba
Пользовательские характеристики
КорпусTO-3P
Число каналов1
Максимальна робоча температура, °C150
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт30
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт900
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом1
ПолярностьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт2-4
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер9
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт150
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд65
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд120
Информация для заказа
  • Цена: 134,56 ₴