НИКОМ радио-маркет
Транзистор полевой IRF520N, фото 2

Транзистор полевой IRF520N

  • Готово к отправке
  • Код: A118019

24,36 ₴

Транзистор полевой IRF520N
Транзистор полевой IRF520NГотово к отправке
24,36 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
(N-Ch) 100V; 9,2A; 60W; 0,27Ohm

Описание

IRF520N — мощный N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-220, предназначенный для быстрой коммутации и управления нагрузками в силовых электронных схемах. Может применяться для управления от микроконтроллеров через драйвер или непосредственно при небольших токах.

Технические характеристики

  • Тип транзистора: MOSFET
  • Тип канала: N-канальный
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 100 В
  • Максимальный ток стока (ID): 9,7 А при температуре корпуса 25 °C
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0,20 Ом
  • Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 2–4 В
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 48 Вт
  • Корпус: TO-220
  • Распиновка: пин 1 — затвор (Gate, G); пин 2 — сток (Drain, D); пин 3 — исток (Source, S)
  • Металлическая подложка корпуса соединена со стоком (Drain)

Функционал

  • Коммутация нагрузок в цепях постоянного тока
  • Управление скоростью DC-двигателей с помощью ШИМ (PWM)
  • Коммутация светодиодных лент, соленоидов, реле и нагревательных элементов
  • Работа в импульсных блоках питания и DC-DC преобразователях
Характеристики
Основные
ПроизводительIR
Пользовательские характеристики
КорпусTO-220
Число каналов1
Максимальна робоча температура, °C175
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт20
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт100
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом0,27
ПолярностьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт2-4
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер9,2
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт60
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд9
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд18
Информация для заказа
  • Цена: 24,36 ₴