N-ch; 55V; 85A; 180W; 11 mOhm
Описание
IRF1010NS — мощный N-канальный полевой MOSFET-транзистор с низким сопротивлением открытого канала, предназначенный для силовых блоков питания, DC-DC преобразователей, инверторов, автомобильной электроники и систем управления двигателями.
Технические характеристики
- Тип канала: N-канальный
- Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 55 В
- Максимальный ток стока (ID): 85 А при 25 °C, ограничение корпуса до 75 А
- Сопротивление открытого канала RDS(on): до 11 мОм (0,011 Ом) при VGS = 10 В
- Максимальная рассеиваемая мощность: 180 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Пороговое напряжение затвора VGS(th): 2–4 В
- Полный заряд затвора: около 130 нКл
- Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C
- Корпус: D2PAK (TO-263), поверхностный монтаж SMD
Функционал
- Коммутация силовых электрических цепей
- Работа в качестве силового ключа в DC-DC преобразователях и инверторах
- Коммутация нагрузки в источниках бесперебойного питания
- Управление скоростью электродвигателей постоянного тока
- Высокоскоростное переключение электрической нагрузки
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IR |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | D2-PAK |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 55 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,011 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 85 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 180 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 13 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 39 |
Информация для заказа
- Цена: 69,02 ₴



