Транзистор полевой PHB11N06LT
- Готово к отправке
- Код: A118278
18,56 ₴
Транзистор полевой PHB11N06LTГотово к отправке
18,56 ₴
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
N-Ch 55V; 10.3A; 33W; 0.15 Ohm; LogicLevel
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: низковольтные DC-DC перетворювачі, BMS, автомобильная электроника, драйверы двигателей, ключи нагрузки та системы управления питанием.
Технические характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
- Корпус: D2-Pak
- Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
- Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 55 В
- Постоянный ток стока (ID), за карткою: 10.3 А
- Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 33 Вт
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 0.15 Ом
- Особенности: Logic Level / керування зниженою напругою затвора (якщо це підтверджує datasheet конкретної ревізії)
Функционал
- Работа в DC-DC перетворювачах
- Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
- Управление силовыми линиями у BMS
- Коммутация нагрузки
- Управление линиями питания
- Силовая или сигнальная коммутация
Распиновка
Корпус D2-Pak. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Велика металлическая/тепловая площадка обычно электрически соединена з Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | D2-PAK |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 15 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 55 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,15 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1-2 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 10,5 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 33 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 16 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 30 |
Информация для заказа
- Цена: 18,56 ₴