Транзистор полевой HM4N80AP
- Готово к отправке
- Код: A118275
29,58 ₴
Транзистор полевой HM4N80APГотово к отправке
29,58 ₴
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
N-Ch, 800V, 4A, N-Channel Power MOSFET-Y
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: импульсные источники питания (SMPS), інвертори, PFC, електронні баласти, високовольтні перетворювачі та силові ключові каскади.
Технические характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
- Корпус: TO-220
- Монтаж: THT (выводной монтаж)
- Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 800 В
- Постоянный ток стока (ID), за карткою: 4 А
Функционал
- Работа в інверторах
- Работа в імпульсних джерелах живлення
- Работа в вузлах PFC
- Работа в електронних баластах
- Силовая или сигнальная коммутация
Распиновка
Корпус TO-220. Если смотреть на сторону с маркировкой, выводами вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Металева задня пластина/фланець у звичайному неізольованому корпусі обычно соединена з Drain.
Характеристики
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Производитель | HKZ |
| Корпус | TO-220 |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 30 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 800 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 4,8 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 3-5 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 3 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 62 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 35 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 60 |
Информация для заказа
- Цена: 29,58 ₴