Транзистор IGBT HGTP5N120BND
- Готово к отправке
- Код: A120042
177,48 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴
Транзистор IGBT HGTP5N120BNDГотово к отправке
177,48 ₴
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
1200V; Ic = 21A(25C); Ic = 10A(100C); Diode
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | TO-220 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Максимальна розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 167 |
| Напруга затвор-емітер Vge, Вольт | 20 |
| Напруга колектор-емітер Vces, Вольт | 1200 |
| Номінальна напруга насичення колектор-емітер Vce(on), Вольт | 2,45 |
| Номінальний струм колектора (100°C) Ic, Ампер | 10 |
| Номінальний струм колектора (25°C) Ic, Ампер | 21 |
| Номінальний час відновлення діода (25°C) trr, Наносекунд | 50 |
| Структура | NPT IGBT+діод |
Информация для заказа
- Цена: 177,48 ₴