Транзистор полевой 4N60LG (HM4N60LG)

Описание

це N-канальный силовой полевой транзистор (MOSFET) с изолированным затвором обогащенного типа. Він используется в импульсных источниках питания (SMPS), инверторах, PFC-узлах, электронных балластах і высоковольтных ключевых каскадах. Максимальное напряжение сток-исток становить 600 В.

Технические характеристики

• Тип / канал: N-канальный
• Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 600 В
• Максимальний постійний ток стоку (ID): 4 А
• Максимальний імпульсний ток стоку (IDM): орієнтовно до 16 А для сімейства 4N60
• Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): 2,0 Ом за карткою HKZ
• Порогова напряжение затвор-исток (VGS(th)): типово 2…4 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): до ±30 В у частини 4N60LG; перевіряти ревізію
• Максимальное мощность розсіювання (PD): около 77 Вт для референсних 4N60LG; у картці мощность не вказана
• Діапазон / максимальное температура переходу (TJ): типово -55…+150 °C
• Тип корпуса: DPAK / TO-252

Функционал

• Комутація електричного навантаження
• Робои у ключевых каскадах інверторів
• Робои у узлах корекції коефіцієни потужності

Распиновка

Транзистор виконаний у корпусі DPAK / TO-252. Якщо дивитися на сторону с маркировкой (выводами вниз; для SMD — у стандартній орієнтації згідно креслення корпусу), основна цокольовка така: 1. Gate (G, Затвор) — управляющий вывод. 2. Drain (D, Сток) — силовой вывод; тепловая/металлическая площадка корпусу, якщо вона є, зазвичай також з’єднана зі стоком. 3. Source (S, Исток) — силовой вывод витоку. Для SOT-223/DPAK/D2PAK большая тепловая площадка электрически соответствует Drain (D).