(N-канал)100V; 33A; 44mOhm
Описание
IRF540N — мощный N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-220, предназначенный для коммутации нагрузок, управления электродвигателями и работы в импульсных источниках питания. Для полного открытия требует напряжения на затворе около 10 В и не относится к транзисторам с управлением логическим уровнем.
Технические характеристики
- Тип транзистора: MOSFET
- Тип канала: N-канальный
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 100 В
- Максимальный ток стока (ID): 33 А при температуре корпуса 25 °C
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0,044 Ом (44 мОм)
- Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 2–4 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Максимальная рассеиваемая мощность: 130 Вт
- Напряжение затвор-исток для полного открытия: около 10 В
- Корпус: TO-220
- Распиновка: пин 1 — затвор (Gate, G); пин 2 — сток (Drain, D); пин 3 — исток (Source, S)
- Металлическая подложка корпуса соединена со стоком (Drain)
Функционал
- Коммутация мощных нагрузок
- Управление электродвигателями
- Работа в импульсных источниках питания
- Управление от микроконтроллеров через драйвер затвора
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IR |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | TO-220 |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 100 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,044 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 33 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 130 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 11 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 39 |
Информация для заказа
- Цена: 24,36 ₴



